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山東GBJ2010
山東GBJ2010詳細信息：
| 封裝：GBJ(插件橋堆) | 正向電流 (Io)：20.0A |
| 反向電壓(VRRM)：1000V | 正向電壓 (VF)：1.1V |
| 浪涌電流(IFSM)：240A | 漏電流 (IR)：10uA |
| 工作溫度：-55℃～150℃ | 芯片結構：臺面玻璃鈍化 |
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